Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie
Annerose Kensy
Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie
Aixtron festigt seine Rolle in der Halbleiterinnovation mit neuer Partnerschaft
Die Ohio State University (OSU) hat für ihre bahnbrechende Forschung an Galliumoxid eines der hochmodernen Systeme von Aixtron ausgewählt. Damit unterstreicht das Unternehmen seinen Vorstoß in die nächste Generation der Leistungselektronik.
Das Nanotech West Lab der OSU, das vom Institute for Materials and Manufacturing Research betrieben wird, wird das Close Coupled Showerhead®-System (CCS) von Aixtron beherbergen. Dieses spezialisierte Gerät ermöglicht das Wachstum von Galliumoxid und Aluminium-Galliumoxid auf 100-Millimeter-Substraten. Durch sein Design garantiert das System dünne Schichten von hoher Gleichmäßigkeit und Qualität.
Galliumoxid gewinnt zunehmend an Bedeutung für die Leistungselektronik, da es herkömmliche Halbleiter in Hochspannungs- und Extremtemperaturumgebungen übertrifft. Während viele Wettbewerber auf etablierte Materialien setzen, erkundet Aixtron bereits diese nächste Innovationswelle.
Cashback bei deinen
Lieblingsrestaurants und Services
Kaufe Gutscheine und spare in deinen Lieblingsorten in deiner Nähe
Die Zusammenarbeit mit der OSU festigt Aixtrons Ruf als Technologieführer im Bereich der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). Durch die Bereitstellung von Forschungsinstrumenten für Ultra-Breitbandlücken-Halbleiter sichert sich das Unternehmen einen frühen Vorsprung in aufstrebenden Märkten.
Die Installation an der OSU markiert einen bedeutenden Schritt für Aixtrons Forschungskapazitäten. Die Präzision und Leistung des CCS-Systems wird die Entwicklung zukünftiger Leistungselektronik vorantreiben. Diese Partnerschaft festigt die Position des Unternehmens an der Spitze der Halbleiterinnovation.
